[한경 2016.11.15] 노경목기자
- 지난 7월 1985년 이후 메모리 반도체 사업을 접었던 인텔이 3D 크로스포인트 반도체 시장에 진입 발표(크로스포인트 : 기존 낸드플래시보다 1000배 빠르면서도 D램처럼 전원이 꺼져도 기억)
- 차세대 메모리, 뉴메모리
. 전원이 없어도 기억을 보존하는 낸드플래시의 성격을 지니면서 속도는 크게 향상된 메모리 반도체
. D램은 속도가 빠르지만 전원을 끄면 데이터가 날아간다는 단점
. 디지털 카메라 등 배터리를 사용해 작동하는 휴대용 전자기기가 늘면서 데이터 보존이 가능한 낸드플래시 시장은 차츰 확대 -> 지금의 속도로는 가상현실(VR) 등 고용량의 데이터를 빠르게 주고받기 어려운 한계 봉착 -> 차세대 메모리로 해결
- 소재에 따라 작동원리와 성능
. P램 : 크리스털 등 비정질 물질을 이용해 전하를 가둬서 데이터를 기억 cf. 인텔의 3D 크로스포인트
. M램 : 금속의 자성을 이용한 저항에 따라 0과 1을 기억, 철과 코발트가 주소재
. Re램 : 재료 스스로 저항하는 성질을 가지는 실리콘 옥사이드를 이용해 기억을 저장 cf. 기존 설비 활용 가능해 높은 양산성
- 성능 차이
. 속도 : M램 > P램 > Re램
. 집적도 : Re램 > M램 > P램
- 2020년 차세대 메모리 시장 확대 전망
. 자율 주행 등 고용량의 데이터를 빠르게 읽을 수있는 반도체 수요 증가
. 다남 낸드플래시도 3차원 기술 등을 통해 집적도가 높아지고 성능이 개선되고 있어 차세대 메모리는 당분간 용도에 부합하는 일부 품목을 중심으로 유통될 것
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